[发明专利]一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法有效

专利信息
申请号: 201710708857.2 申请日: 2017-08-17
公开(公告)号: CN107445609B 公开(公告)日: 2020-11-17
发明(设计)人: 师琳璞;方宏;刘冠鹏;杨硕 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七二五研究所
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B35/622
代理公司: 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 代理人: 孙笑飞
地址: 471000 河南*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法,包括将原料制成ITO旋转靶素坯的步骤和将ITO旋转靶素坯在氧气氛烧结炉中烧制成ITO旋转靶材的步骤。在烧制之前,先在承烧板上放置陶瓷素坯,然后将ITO旋转靶素坯放在陶瓷素坯上,并使ITO旋转靶素坯的底面与陶瓷素坯完全接触,以便在烧制过程中使ITO旋转靶素坯和陶瓷素坯同步收缩,以此消除或减少两者之间的相对位移,从而消除或减少收缩阻力的影响,改善旋转靶顶部和底部收缩不一致的现象,提供靶材均匀性和相对密度。旋转靶各个部位的相对密度之差不大于0.1%,各个部位的内径之差不大于0.2%。
搜索关键词: 一种 致密 ito 旋转 烧结 方法
【主权项】:
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