[发明专利]一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法有效
| 申请号： | 201710708857.2 | 申请日： | 2017-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN107445609B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 师琳璞;方宏;刘冠鹏;杨硕 | 申请（专利权）人： | 中国船舶重工集团公司第七二五研究所 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙) 41120 | 代理人： | 孙笑飞 |
| 地址： | 471000 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 致密 ito 旋转 烧结 方法 | ||
1.一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，包括将原料制成ITO旋转靶素坯的步骤和将ITO旋转靶素坯在氧气氛烧结炉中烧制成ITO旋转靶材的步骤，其特征在于：在烧制之前，先在承烧板上放置多块ITO平面靶素坯，然后将ITO旋转靶素坯放在最上层的ITO平面靶素坯上，并使ITO旋转靶素坯的底面与ITO平面靶素坯完全接触，以便在烧制过程中使ITO旋转靶素坯和ITO平面靶素坯同步收缩，以减少ITO旋转靶素坯底部烧结收缩的阻力，该ITO平面靶素坯和ITO旋转靶素坯中In2O3:SnO2=90—97:3—10。
2.如权利要求1所述的一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，其特征在于：所述的ITO平面靶素坯厚度为5—20mm。
3.如权利要求1—2任一项所述的一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，其特征在于：所述ITO旋转靶素坯与ITO平面靶素坯的相对密度之差不大于5%。
4.如权利要求3所述的一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，其特征在于：所述ITO旋转靶素坯和ITO平面靶素坯的相对密度均大于60%。
5.如权利要求1所述的一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，其特征在于：ITO平面靶素坯和ITO旋转靶素坯放入烧结炉后，向烧结炉内通入氧气并保持在0.3—0.8MPa的压力，升温至1500—1700℃后保温20—60小时，使ITO旋转靶素坯烧结成ITO旋转靶材。
6.如权利要求5所述的一种高致密度ITO旋转靶的烧结方法，其特征在于：烧结炉内的升温过程为：以2—6℃/min升温至600—800℃，保温5—10小时后，再以0.5—3℃/min升温至1300—1400℃，保温10—20小时，之后以0.5—2℃/min升温至1500—1700℃。
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