[发明专利]一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法有效
| 申请号： | 201710702567.7 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107706076B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 许进;唐在峰;吴杰;任昱;朱骏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，能够降低像素白点，提高传感器良率，本发明在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用WAC对腔体氛围进行控制，分别使用含氟刻蚀气体(如NF3)和成膜气体(SiCl4)对腔体进行Si‑O副产物的刻蚀，再进行新鲜的Si‑O成膜，稳定腔体氛围。本发明通过对CMOS传感器的晶圆工作区进行刻蚀前，优化刻蚀腔体不同部件(特别是最接近晶圆的静电托盘)的成膜氛围，用以隔离刻蚀过程中腔体金属离子析出，避免像素区硅源表面的金属污染，达到降低像素白点，提高传感器良率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 cmos 图像传感器 刻蚀 金属 污染 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善CMOS图像传感器刻蚀腔体金属污染的方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤a：在晶圆刻蚀前，无晶圆情况下，使用含氟刻蚀气体对腔体侧壁进行Si‑O副产物去除；步骤b：使用低压力，小偏压的含氟刻蚀气体对晶圆静电托盘及其边缘部件进行Si‑O副产物去除，其中所述低压力定义为<30mtorr，所述小偏压定义为<10V；步骤c：使用含氧刻蚀气体对腔体侧壁进行含碳副产物去除；步骤d：使用含氧刻蚀气体对晶圆静电托盘进行含碳副产物去除；步骤e：使用成膜气体进行腔体侧壁Si‑O成膜，稳定腔体氛围，同时隔离腔体的金属离子析出；步骤f：使用成膜气体对静电托盘及其边缘部件进行Si‑O成膜，隔离静电托盘及其边缘部件的金属离子析出。
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