[发明专利]一种晶圆倾斜薄膜的监测方法有效
| 申请号： | 201710701344.9 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN107527830B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 冯巍;何发梅;刘浩;董思远;严啓志 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆倾斜薄膜的监测方法，其中，可以应用于监测一晶圆堆叠结构的边缘斜面的刻蚀情况；包括：步骤S1，采集边缘斜面的光学彩色图像；根据光学图像中反映的边缘斜面的刻蚀形貌的图像条纹的色彩分布判断边缘斜面的刻蚀情况；上述技术方案能够对晶圆的边缘斜面进行监测，不受晶圆边缘的形貌的限制，进而能够获得较高的晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倾斜 薄膜 监测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆倾斜薄膜的监测方法，其特征在于，应用于监测一晶圆堆叠结构的边缘斜面的刻蚀情况；包括：/n步骤S1，采集所述边缘斜面的光学彩色图像；/n步骤S2，根据所述光学图像中反映的所述边缘斜面的刻蚀形貌的图像条纹的色彩分布判断所述边缘斜面的刻蚀情况；/n所述步骤S2具体为：/n步骤S21，获得与所述边缘斜面对应在所述光学彩色图像上的色度区间；/n步骤S22，搜索所述图像条纹中超出所述色度区间的像素点，并根据超出所述色度区间的所述像素点的比率判断所述边缘斜面的刻蚀情况。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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