[发明专利]一种掩膜板微尘影响评估方法和系统

摘要

本发明公开了一种掩膜板微尘影响评估方法和系统，属于集成电路制造技术领域，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，包括以下步骤：步骤S1、检测掩膜板上的所有微尘分别在掩膜板上的影响区域；步骤S2、生成对掩膜板表面的特定区域进行微尘检测的检测模板，检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于掩膜板图形上的目标检测区域；步骤S3、将检测结果嵌入检测模板，分析所有影响区域与分别目标检测区域的位置关系；步骤S4、根据所有位置关系评估掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响。上述技术方案的有益效果是：对掩膜板特定区域进行表面微尘检测，降低晶圆在光刻制程中的返工率，从而减少研发成本，提升研发进度。

主权项

一种掩膜板微尘影响评估方法，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一检测模板，所述检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于所述掩膜板图形上的目标检测区域；步骤S2、对所述掩膜板的表面进行微尘检测，并输出检测结果，所述检测结果为检测到的所有微尘分别在所述掩膜板上的影响区域；步骤S3、将所述检测结果嵌入所述检测模板，分析所有所述影响区域分别与所述目标检测区域的位置关系；步骤S4、根据所有所述位置关系评估所述掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响，并输出评估结果。