[发明专利]一种掩膜板微尘影响评估方法和系统

权利要求书

1.一种掩膜板微尘影响评估方法，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、提供一检测模板，所述检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于所述掩膜板图形上的目标检测区域；

步骤S2、对所述掩膜板的表面进行微尘检测，并输出检测结果，所述检测结果为检测到的所有微尘分别在所述掩膜板上的影响区域；

步骤S3、将所述检测结果嵌入所述检测模板，分析所有所述影响区域分别与所述目标检测区域的位置关系；

步骤S4、根据所有所述位置关系评估所述掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响，并输出评估结果；

所述目标检测区域对应于根据研发需求选择所述掩膜板的一个特定区域；

所述评估结果为：

当至少一个所述位置关系为相交或相切时，判断所述掩膜板表面的微尘对当前的光刻工艺有影响，需要对所述掩膜板做清洁处理，晶圆在光刻制程内返工作业；

当所有所述位置关系为相离时，判断所述掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺没有影响，可继续使用所述掩膜板，晶圆直接进入后续工艺流程。

2.如权利要求1所述的掩膜板微尘影响评估方法，其特征在于，所述步骤S2包括以下步骤：

步骤S21、计算出不同尺寸的微尘的影响范围并储存；

步骤S22、检测所述掩膜板，以获得所述掩膜板表面所有所述微尘的尺寸及位置；

步骤S23、根据检测到的所有所述微尘的尺寸及位置，以及不同尺寸的微尘的影响范围，获取所有所述微尘分别在所述掩膜板上的所述影响区域。

3.如权利要求1所述的掩膜板微尘影响评估方法，其特征在于，所述步骤S1包括以下步骤：

步骤S11、建立特征图形库，所述特征图形来源于版图信息文件；

步骤S12、建立所述掩膜板与所述特征图形之间的对应关系的数据库；

步骤S13、选择所述特征图形及所述对应关系，以及在所述特征图形上选择待测图形区域；

步骤S14、根据所述特征图形、对应关系及所述待测图形区域生成所述检测模板。

4.如权利要求3所述的掩膜板微尘影响评估方法，其特征在于，所述掩膜板图形通过所述对应关系与所述特征图形对应，所述目标检测区域通过所述对应关系与所述待测图形区域对应。

5.一种掩膜板微尘影响评估系统，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，其特征在于，包括：

图形处理模块，生成一检测模板，所述检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于所述掩膜板图形上的目标检测区域；

微尘检测模块，用于对所述掩膜板表面的微尘进行检测并输出微尘检测结果，所述检测结果为检测到的所有微尘分别在所述掩膜板上的影响区域；

判断模块，连接所述微尘检测模块和所述图形处理模块，用于判断所有所述影响区域与所述目标检测区域的位置关系，并输出判断结果；

评估模块，连接所述判断模块，用于根据所有所述位置关系评估所述掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响，并输出评估结果；

所述目标检测区域对应于根据研发需求选择所述掩膜板的一个特定区域；

所述评估结果为：

当至少一个所述位置关系为相交或相切时，判断所述掩膜板表面的微尘对当前的光刻工艺有影响，需要对所述掩膜板做清洁处理，晶圆在光刻制程内返工作业；

当所有所述位置关系为相离时，判断所述掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺没有影响，可继续使用所述掩膜板，晶圆直接进入后续工艺流程。

6.如权利要求5所述的掩膜板微尘影响评估系统，其特征在于，所述微尘检测模块包括：

第一存储单元，用于存储微尘的尺寸，以及不同尺寸的微尘在所述掩膜板上的影响范围；

检测单元，用于检测所述掩膜板的表面的所有微尘的尺寸及所有微尘在分别所述掩膜板上的位置并输出；

检测结果生成单元，连接所述检测单元和所述第一存储单元，用于根据所述第一存储单元存储的不同尺寸的微尘在所述掩膜板上的影响范围，依据检测到的所有微尘在分别所述掩膜板上的位置，得到检测到的所述有微尘分别在所述掩膜板上的影响区域。