[发明专利]一种掩膜板微尘影响评估方法和系统

说明书

本发明公开了一种掩膜板微尘影响评估方法和系统，属于集成电路制造技术领域，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，包括以下步骤：步骤S1、检测掩膜板上的所有微尘分别在掩膜板上的影响区域；步骤S2、生成对掩膜板表面的特定区域进行微尘检测的检测模板，检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于掩膜板图形上的目标检测区域；步骤S3、将检测结果嵌入检测模板，分析所有影响区域与分别目标检测区域的位置关系；步骤S4、根据所有位置关系评估掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响。上述技术方案的有益效果是：对掩膜板特定区域进行表面微尘检测，降低晶圆在光刻制程中的返工率，从而减少研发成本，提升研发进度。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中的掩膜板微尘影响评估方法和系统。

背景技术

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺，把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上，然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。其中光刻是在硅片上形成半导体元件的主要加工技术，在每个芯片制造的过程中，需要经过十几乃至几十次的光刻，每一次光刻都需要使用掩膜板。

随着集成电路工艺的发展和市场需求的逐渐加大，越来越多的新设计和新产品需要晶圆代工厂去对新制程进行研发，再投入量产。在新产品的研发阶段，掩膜板表面微尘的检测及判断是产品工艺研发、缺陷控制和良率提升的一个重要环节。

目前业内针对研发阶段用掩膜板表面微尘检测的通常做法是根据相关工艺缺陷情况的经验设定阈值，然后利用掩膜板表面微尘检测装置对掩膜板整个面内进行扫描，判断微尘对晶圆的影响，超过阈值即对晶圆在光刻制程进行返工作业。在新产品工艺流程研发过程中，工程师通常是分区域对电路进行研究，因此一次光刻结束后，只需要保证特定的工艺位置的光刻没有缺陷即可，然而，在实际研发过程中，工程师只关注掩膜板部分区域图形，在掩膜板上的微尘超过阈值时，就对直接对晶圆在光刻制程进行返工作业，没有考虑到在微尘超过阈值时，是否会对特定区域造成缺陷，使得研发阶段晶圆在光刻制程进行返工作业的概率高，不但增加了研发工艺成本，而且会影响到研发进度。

发明内容

根据现有技术中存在的上述问题，现提供一种对掩膜板特定区域进行表面微尘检测的掩膜板微尘影响评估方法和系统，旨在降低研发过程中晶圆在光刻制程中的返工率，从而减少研发成本，提升研发进度。本发明采用以下技术方案：

一种掩膜板微尘影响评估方法，应用于集成电路研发阶段的光刻工艺中，包括以下步骤：

步骤S1、提供一检测模板，所述检测模板包括对应于掩膜板的掩膜板图形和位于所述掩膜板图形上的目标检测区域；

步骤S2、对所述掩膜板的表面进行微尘检测，并输出检测结果，所述检测结果为检测到的所有微尘分别在所述掩膜板上的影响区域；

步骤S3、将所述检测结果嵌入所述检测模板，分析所有所述影响区域分别与所述目标检测区域的位置关系；

步骤S4、根据所有所述位置关系评估所述掩膜板表面的微尘对当前光刻工艺的影响，并输出评估结果。

较佳的，上述掩膜板微尘影响评估方法中，所述步骤S2包括以下步骤：

步骤S21、计算出不同尺寸的微尘的影响范围并储存；

步骤S22、检测所述掩膜板，以获得所述掩膜板表面所有所述微尘的尺寸及位置；

步骤S23、根据检测到的所有所述微尘的尺寸及位置，以及不同尺寸的微尘的影响范围，获取所有所述微尘分别在所述掩膜板上的影响区域。