[发明专利]电阻式存储器存储装置及其写入方法有效
| 申请号： | 201710700423.8 | 申请日： | 2017-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN109410997B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 林立伟;郑如杰;蔡宗寰;曾逸贤 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式存储器存储装置及其写入方法，包括：对存储器晶胞施加第一设定电压，并且取得存储器晶胞的第一读取电流；对存储器晶胞施加第一扰动电压，并且取得存储器晶胞的第二读取电流；以及依据第一读取电流以及第二读取电流的大小关系，决定对存储器晶胞施加第二设定电压或第二扰动电压。第一扰动电压的绝对值小于重置电压的绝对值，并且第二扰动电压的绝对值小于第二设定电压的绝对值。另外，一种电阻式存储器存储装置也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 存储 装置 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器存储装置的写入方法，包括：对存储器晶胞施加第一设定电压，并且取得所述存储器晶胞的第一读取电流；对所述存储器晶胞施加第一扰动电压，并且取得所述存储器晶胞的第二读取电流；以及依据所述第一读取电流以及所述第二读取电流的大小关系，决定对所述存储器晶胞施加第二设定电压或第二扰动电压，其中所述第一扰动电压的绝对值小于重置电压的绝对值，并且所述第二扰动电压的绝对值小于所述第二设定电压的绝对值。
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