[发明专利]MEMS流量传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201710698328.9 | 申请日： | 2017-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN107500244A | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 张旭辉;徐爱东;卞玉民;杨拥军 | 申请（专利权）人： | 河北美泰电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS流量传感器的制造方法，涉及半导体器件技术领域，包括将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。本发明能够增大MEMS流量传感器支撑膜薄厚度，提高器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 流量传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS流量传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将SOI基底的表面硅层的厚度调整为预设厚度，所述预设厚度大于1微米；通过热氧化在所述SOI基底的表面硅层的上表面形成第一氧化硅层，在所述SOI基底的硅衬底层的下表面形成第二氧化硅层，所述第一氧化硅层作为电绝缘层和应力匹配层；在所述第一氧化硅层的上表面形成图形化导电金属层；在所述图形化导电金属层的上表面形成钝化保护层；在所述钝化保护层的引线焊盘位置形成引线焊盘窗口；在所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中形成背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层对应。
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