[发明专利]半导体器件和功率控制器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件和功率控制器件，以实现包括驱动器IC即半导体器件的系统中的部件数量减少。向电源施加区施加高电位侧电源电压。高侧区由包括驱动高侧晶体管的驱动器并且以浮置电压作为参考在启动电源电压下操作的电路形成。低侧区由以低电位侧电源电压作为参考在电源电压下操作的电路形成。第一端接区设置成包围所述电源施加区的环形式。第二端接区设置成包围所述高侧区的环形式。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件驱动高侧晶体管，并且由一个半导体芯片构成，所述高侧晶体管布置在外部并且耦合在高电位侧电源电压和浮置电压之间，所述半导体器件包括：高电位侧电源焊盘，所述高电位侧电源焊盘耦合到所述高电位侧电源电压；浮置焊盘，所述浮置焊盘耦合到所述浮置电压；低电位侧电源焊盘，所述低电位侧电源焊盘耦合到低电位侧电源电压；电源施加区，所述电源施加区被施加所述高电位侧电源电压；高侧区，所述高侧区由以所述浮置电压作为参考在第一电源电压下操作的电路形成；低侧区，所述低侧区由以所述低电位侧电源电压作为参考在第二电源电压下操作的电路形成；第一端接区，所述第一端接区布置成包围所述电源施加区的环形式并且吸收所述电源施加区和所述低侧区之间的电位差；第二端接区，所述第二端接区布置成包围所述高侧区的环形式并且吸收所述高侧区和所述低侧区之间的电位差；第一隔离区，所述第一隔离区沿着所述第一端接区的外周布置并且将所述第一端接区和所述低侧区彼此隔离；第二隔离区，所述第二隔离区沿着所述第二端接区的外周布置并且将所述第二端接区和所述低侧区彼此隔离；以及高侧驱动器，所述高侧驱动器形成在所述高侧区中并且驱动所述高侧晶体管。