[发明专利]一种改善多晶硅表面平坦度的方法有效
| 申请号： | 201710684869.6 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107393832B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 方宏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种改善多晶硅表面平坦度的方法，该方法包括下述步骤：在柔性基板上镀上缓冲层；在缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层；对非晶硅层的表面进行清洗，再对非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理，制备得到多晶硅层；在多晶硅层的表面涂布光阻，并对光阻进行曝光及显影处理，暴露出多晶硅层表面的突起部分；对多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。本发明的方法可以除去多晶硅表面的突起部分，可以改善漏致晶界势垒下降效应，还能可以提升TFT器件的耐弯折性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 多晶 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】：
一种改善多晶硅表面平坦度的方法，其特征在于，包括下述步骤：在柔性基板上镀上缓冲层；在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层；对所述非晶硅层的表面进行清洗，再对所述非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理，制备得到多晶硅层；在所述多晶硅层的表面涂布光阻，并对所述光阻进行曝光及显影处理，暴露出所述多晶硅层表面的突起部分；对所述多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710684869.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
