[发明专利]一种改善多晶硅表面平坦度的方法有效

申请号：	201710684869.6	申请日：	2017-08-11
公开（公告）号：	CN107393832B	公开（公告）日：	2020-11-03
发明（设计）人：	方宏	申请（专利权）人：	武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/786
代理公司：	深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238	代理人：	潘中毅;熊贤卿
地址：	430000 湖北省武汉市东湖新技术***	国省代码：	湖北;42
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摘要：
搜索关键词：	一种改善多晶表面平坦方法
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【说明书】：

本发明提供一种改善多晶硅表面平坦度的方法，该方法包括下述步骤：在柔性基板上镀上缓冲层；在缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层；对非晶硅层的表面进行清洗，再对非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理，制备得到多晶硅层；在多晶硅层的表面涂布光阻，并对光阻进行曝光及显影处理，暴露出多晶硅层表面的突起部分；对多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。本发明的方法可以除去多晶硅表面的突起部分，可以改善漏致晶界势垒下降效应，还能可以提升TFT器件的耐弯折性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种改善多晶硅表面平坦度的方法。

背景技术

随着平面显示技术的发展，具有高分辨率、低能耗的液晶显示器的需求越来越大。非晶硅的电子迁移率较低，而低温多晶硅(Low Temperature Ploy-silicon)可以在低温下制作，且拥有比非晶硅更高(高20-100倍)的电子迁移率。这样就可以将TFT(薄膜晶体管)器件以及其像素点做到更小，以达到高分辨率的要求。此外，低温多晶硅制作的CMOS器件可使液晶显示器具有低能耗。因此，低温多晶硅得到了广泛地研究和应用。

目前多晶硅结晶的主流技术是采用准分子激光退火技术(Excimer LaserCrystallization，简称ELA)来实现，可以得到晶粒尺寸较大的多晶硅，电子迁移率较大。

采用ELA工艺进行多晶硅结晶的一个缺点，就是得到的多晶硅表面粗糙度较大，晶界处的突起较多，随着手机/平板显示精度的提高，TFT器件越做越小，多晶硅的突起部分会引起很多TFT器件电性上的缺陷，比如漏致晶界势垒下降效应等，造成阈值电压Vth漂移。

随着柔性显示的快速发展，对TFT器件性能要求提高，其中一项重要的特性要求就是耐弯折性，采用ELA工艺进行结晶的多晶硅的突起部分会使后续沉积的绝缘层(GI层)和金属层(Metal层)也有突起，TFT器件耐弯折性会变差。

基于以上背景，针对柔性显示技术更需要对多晶硅表面粗糙度做制程改善。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种改善多晶硅表面平坦度的方法，可以改善多晶硅表面粗糙度。

本发明提供的一种改善多晶硅表面平坦度的方法，包括下述步骤：

在柔性基板上镀上缓冲层；

在所述缓冲层上依次沉积SiNx层、SiOx层、非晶硅层；

对所述非晶硅层的表面进行清洗，再对所述非晶硅层的表面采用准分子激光退火处理，制备得到多晶硅层；

在所述多晶硅层的表面涂布光阻，并对所述光阻进行曝光及显影处理，暴露出所述多晶硅层表面的突起部分；

对所述多晶硅层表面的突起部分进行刻蚀。