[发明专利]一种X射线中性衰减片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710684005.4 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107403655B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 车兴森;侯立飞;张颖娟;刘慎业;杜华冰;杨轶濛 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 |
| 主分类号： | G21K1/10 | 分类号： | G21K1/10 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种X射线中性衰减片及其制备方法，涉及软X射线辐射流定量测量领域。该制备方法包括：于衬底的一侧表面形成第一导电金属层；于第一导电金属层远离衬底的一侧表面形成光刻胶层，曝光、显影后于光刻胶层形成孔阵列，于具有孔阵列的光刻胶层电镀形成第二导电金属层，去除剩余的光刻胶得具有孔阵列的样品；去除衬底以及第一导电金属层。有效提高X射线中性衰减片的面均匀性、衰减特性和生产效率。上述制备方法制得的X射线中性衰减片，孔阵列中每个孔的孔径均匀，孔侧壁陡直，X射线中性衰减片的面均匀性好，使得X射线透过率具有高度一致性，可实现软X射线辐射流定量精确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射线 中性 衰减 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种X射线中性衰减片的制备方法，其特征在于，包括：/n于衬底的一侧表面形成第一导电金属层；/n于所述第一导电金属层远离所述衬底的一侧表面形成光刻胶层，曝光、显影后于所述光刻胶层形成孔阵列，于具有孔阵列的光刻胶层电镀形成第二导电金属层，去除剩余的所述光刻胶得具有孔阵列的样品；/n去除所述衬底以及所述第一导电金属层；/n所述光刻胶层的厚度至少为20μm；/n其中，所述第一导电金属层的材质与所述第二导电金属层的材质相同；且去除所述衬底与所述第一导电金属层之前将所述样品进行退火处理，退火处理于145-160℃处理2.5-4h。/n
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