[发明专利]一种X射线中性衰减片及其制备方法

说明书

本发明涉及一种X射线中性衰减片及其制备方法，涉及软X射线辐射流定量测量领域。该制备方法包括：于衬底的一侧表面形成第一导电金属层；于第一导电金属层远离衬底的一侧表面形成光刻胶层，曝光、显影后于光刻胶层形成孔阵列，于具有孔阵列的光刻胶层电镀形成第二导电金属层，去除剩余的光刻胶得具有孔阵列的样品；去除衬底以及第一导电金属层。有效提高X射线中性衰减片的面均匀性、衰减特性和生产效率。上述制备方法制得的X射线中性衰减片，孔阵列中每个孔的孔径均匀，孔侧壁陡直，X射线中性衰减片的面均匀性好，使得X射线透过率具有高度一致性，可实现软X射线辐射流定量精确测量。

技术领域

本发明涉及软X射线辐射流定量测量领域，且特别涉及一种X射线中性衰减片及其制备方法。

背景技术

在惯性约束聚变领域，黑腔物理、辐射输运、辐射烧蚀、辐射不透明度以及内爆动力学，都需要进行软X射线辐射流的定量测量。辐射流的测量一般采用X射线平响应X射线二极管(XRD)探测器。在测量过程中，激光打靶产生的碎片可能粘附到复合滤片上或者打穿滤片，从而影响辐射流的测量精度；另一方面，随着激光能量的增大，辐射流增加导致平响应探测器工作在非线性区域，超出探测器工作范围。因此，中性衰减片被采用以消除碎片影响和探测器饱和等问题。

中性衰减片具有对X射线衰减的特性，可将通过的不同波段的X射线进行均匀的衰减，并保证透射到XRD探测器上的光斑具有高度均匀性。

传统的中性衰减片采用激光打孔的方式实现均匀的孔阵列，从而达到对X射线的衰减作用，但是存在以下缺点：(1)面均匀性差：激光打孔的方法是通过激光对钽片进行烧蚀实现打孔，由于光斑的限制，以及热烧蚀的不稳定性，导致激光打孔制备的孔径不均匀，衰减片的面均匀性较差(2)锥孔现象：通过微激光打孔的方式制备的孔，由于表面烧蚀时间长，底部烧蚀时间短，制备的孔呈现锥孔，从而导致X射线透过率曲线具有一定的斜率，不是一个固定的数值，不能视为中性衰减片。(3)制备效率低：激光打孔的方式效率较低，随着有效面积的增大，孔数量急剧增加，导致打孔时间增加，降低了生产效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种X射线中性衰减片，其具有均匀的孔阵列，且孔阵列中每个孔的孔径均匀，孔侧壁陡直，X射线中性衰减片的面均匀性好，使得X射线透过率具有高度一致性，可实现软X射线辐射流定量精确测量。

本发明的另一目的在于提供一种上述X射线中性衰减片的制备方法，有效提高X射线中性衰减片的面均匀性、衰减特性和生产效率。

本发明解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。

本发明提出一种X射线中性衰减片的制备方法，包括：

于衬底的一侧表面形成第一导电金属层。

于第一导电金属层远离衬底的一侧表面形成光刻胶层，曝光、显影后于光刻胶层形成孔阵列，于具有孔阵列的光刻胶层电镀形成第二导电金属层，去除剩余的光刻胶得具有孔阵列的样品。

去除衬底以及第一导电金属层。

本发明提出一种如上述制备方法制得的X射线中性衰减片。

本发明实施例提供的一种X射线中性衰减片及其制备方法的有益效果是：

通过采用光刻和微电镀工艺结合，制备具有均匀的孔阵列的X射线的中性衰减片，有效提高打孔效率，提高生产效率，每个孔的孔径均匀，衰减片的面均匀性佳，有效解决锥孔现象，最终提高X射线的中性衰减片的精度。

由上述方法制得的X射线中性衰减片具有均匀的孔阵列，且孔阵列中每个孔的孔径均匀，孔侧壁陡直，X射线中性衰减片的面均匀性好，使得X射线透过率具有高度一致性，可实现软X射线辐射流定量精确测量。

附图说明