[发明专利]一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构在审
| 申请号： | 201710683480.X | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN109390444A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 吴飞翔;朱剑峰;胡荣;葛海;李文忠 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/20;H01L21/86 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226015 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，属于半导体光电子技术领域。本发明包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在N型GaN层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。其结构特点是：所述衬底内部设有点阵孔。同现有技术相比，本发明通过将激光器在LED芯片中制作具有一定周期结构的空洞，对在LED芯片中的光进行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 发光二极管结构 透明导电层 半导体光电子技术 点阵 发光结构 周期结构 激光器 发光层 反射 空洞 制作 | ||
【主权项】：
1.一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在N 型GaN层（2）上的一端置有N型电极（6），透明导电层（5）上、与N 型电极（6）相对的另一端置有P 型电极（7），其特征在于：所述衬底（1）内部设有点阵孔（8）。
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