[发明专利]一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构

说明书

一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，属于半导体光电子技术领域。本发明包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在N型GaN层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N型电极相对的另一端置有P型电极。其结构特点是：所述衬底内部设有点阵孔。同现有技术相比，本发明通过将激光器在LED芯片中制作具有一定周期结构的空洞，对在LED芯片中的光进行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。

技术领域

本发明属于半导体光电子技术领域，特别是能增加LED出光的芯片结构。

背景技术

发光二极管（LED）是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。

目前，在常规正装发光二极管结构中，从量子阱发出的光，在通过氮化镓/蓝宝石界面时会透射过去，大大降低了发光二极管的出光效率。

发明内容

针对上述现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构。它通过将激光器在LED芯片中制作具有一定周期结构的空洞，对在LED芯片中的光进行反射，增加LED芯片的出光，提高LED芯片的性能。

为了达到上述发明目的，本发明的技术方案以如下方式实现：

一种能增加LED芯片出光的发光二极管结构，它包括衬底以及置于衬底上方依次由N型GaN层、发光层、P型GaN层和透明导电层组成的发光结构。在N 型GaN层上的一端置有N型电极，透明导电层上、与N 型电极相对的另一端置有P 型电极。其结构特点是：所述衬底内部设有点阵孔。

在上述发光二极管结构中，所述点阵孔为两层。

在上述发光二极管结构中，所述点阵孔呈周期性排列，两层点阵孔的排列方式相同。

在上述发光二极管结构中，所述两层点阵孔的排列为正方形或者三角形排列，临近点之间的间距为50-100um。

在上述发光二极管结构中，所述两层点阵孔之间的上下距离为10-20um。

在上述发光二极管结构中，所述下层点阵孔与所述衬底底部的距离为20-50um。避免LED芯片断裂。

在上述发光二极管结构中，所述衬底为蓝宝石衬底。

本发明由于采用了上述结构，在两层点阵孔的上下距离的范围内能形成有效的增强光反射的点阵效应，提高芯片底面的反射率，减少透射光，提高发光二极管的正面出光效率，从而有效提升发光二极管的亮度。

下面结合副图和具体实施方式对本发明作进一步说明。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明中点阵孔的俯视图。

具体实施方式

图1和图2用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本发明实施例一起用于解释本发明，并不构成对本发明的限制。此外，附图数据是描述概要，非按比例绘制。

参看图1和图2，本发明能增加LED芯片出光的发光二极管结构，它包括蓝宝石衬底1以及置于衬底1上方依次由N型GaN层2、发光层3、P型GaN层4和透明导电层5组成的发光结构。在N 型GaN层2上的一端置有N型电极6，透明导电层5上、与N 型电极6相对的另一端置有P型电极7。衬底1内部设有两层周期性排列的点阵孔8，两层点阵孔8的排列方式相同，其排列为正方形或者三角形排列，临近点之间的间距为50-100um，两层点阵孔8之间的上下距离为10-20um。下层点阵孔8与所述衬底1底部的距离为20-50um。