[发明专利]一种用于全彩显示的MicroLED芯片及其制作方法

摘要

本发明提供的一种用于全彩显示的MicroLED芯片及其制作方法，在单个LED芯片上形成红蓝绿的发光结构，无需设置RGB阵列和微透镜，单颗MicroLED芯片即可完成全彩发光，像素间距小，分辨率高，进一步地，采用晶圆键合技术，将蓝光晶圆、绿光晶圆和红光晶圆键合在一起，形成单颗芯片，节省晶圆面积，此外，只需对单颗芯片进行一次测试分选和封装，节省人力物力，从而有利于大规模量产。

主权项

一种用于全彩显示的MicroLED芯片的制作方法，包括：提供蓝光晶圆、绿光晶圆和红光晶圆，其中，所述蓝光晶圆包括第一衬底、蓝光外延层、第一氧化铟锡层和第一二氧化硅层，所述绿光晶圆包括第二衬底、绿光外延层、第二氧化铟锡层和第二二氧化硅层，所述红光晶圆包括第三衬底、红光外延层、第三氧化铟锡层和第三二氧化硅层；采用晶圆键合技术将所述第一二氧化硅层和第二二氧化硅层键合形成一体，得到蓝绿光晶圆；去除第二衬底，并在所述绿光外延层表面形成第四二氧化硅层；采用晶圆键合技术将所述第四二氧化硅层和第三二氧化硅层键合形成一体，得到蓝绿红光晶圆；去除第三衬底，形成MicroLED晶圆；形成电极，其中，所述电极包括设于第三氧化铟锡层上第一电极、设于第二氧化铟锡层上的第二电极、设于第一氧化铟锡层上的第三电极和设于蓝光外延层上的第四电极。