[发明专利]一种碳布负载Ni-S-Se纳米片阵列的制备方法

摘要

本发明涉及一种碳布负载Ni(S_0.41Se_0.59)₂纳米片阵列及其制备方法，属于无机纳米材料制备技术领域。本发明以碳布负载的Ni(OH)₂纳米片阵列为前驱体通过同时硫化‑硒化制备碳布负载Ni(S_0.41Se_0.59)₂纳米片阵列。具体步骤如下：首先以硝酸镍、氟化铵和尿素为反应物通过水热法制得碳布负载的Ni(OH)₂纳米片阵列为前驱体；进一步使用质量比1:3的硫粉和硒粉混合物对前驱体在氮气保护下进行同时的硫化和硒化制得碳布负载Ni(S_0.41Se_0.59)₂纳米片阵列。

主权项

1.一种碳布负载Ni(S_0.41Se_0.59)₂纳米片阵列，所述纳米片的长度为3‑5微米，厚度为80‑100纳米；所述碳布负载Ni(S_0.41Se_0.59)₂纳米片阵列的制备方法，步骤如下：1）采用水热法，以硝酸镍、氟化铵和尿素为反应物制得碳布负载的Ni(OH)₂纳米片阵列为前驱体；2）将步骤1)所得碳布负载的Ni(OH)₂纳米片阵列转移至石英舟中的一端，并在另一端放上摩尔比1:3的硫粉和硒粉混合物；将石英舟放入氮气保护的高温管式炉中，将盛放硫粉和硒粉混合物的一端置于上气流方位，以10摄氏度每分钟的升温速率将管式炉温度升至450摄氏度并保温反应后自然降温至室温即得到碳布负载Ni(S_0.41Se_0.59)₂纳米片阵列。