[发明专利]磁存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710659406.4 | 申请日： | 2017-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN108630804B | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 都甲大;细谷启司;相川尚德;岸达也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 万利军;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供可信性能够提高的磁存储装置及其制造方法。实施方式的磁存储装置包括：具有可变的磁化方向的第1磁性层(11)；设置于第1磁性层(11)上的第1非磁性层(12)；和设置于第1非磁性层(12)上、具有固定磁化方向的第2磁性层(13至16)。第2磁性层(13至16)包含：包含Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)、Hf(铪)、Nb(铌)以及Ti(钛)中的至少1种的非磁性金属。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁存储装置，其具备：具有可变的磁化方向的第1磁性层；设置于所述第1磁性层上的第1非磁性层；和设置于所述第1非磁性层上且具有固定的磁化方向的第2磁性层，其特征在于：所述第2磁性层包含非磁性金属，所述非磁性金属包含Mo(钼)、Ta(钽)、W(钨)、Hf(铪)、Nb(铌)以及Ti(钛)中的至少1种。
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