[发明专利]包括激活掺杂剂的制造方法和具有陡峭结的半导体装置有效
| 申请号： | 201710652352.9 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107680905B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | A·布雷梅塞尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;W·舒斯特雷德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/22;H01L29/06;H01L29/861;H01L29/739 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 晶格空位在半导体层(700)的与工艺表面(701)直接邻接的预处理区(710)中生成。掺杂剂至少注入到所述预处理区(710)中。通过用激光束(850)照射所述工艺表面(701)，来加热所述半导体层(700)的熔化区(712)，激活至少在所述熔化区(712)中的注入的掺杂剂。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 激活 掺杂 制造 方法 具有 陡峭 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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