[发明专利]一种消除高电场的器件有效
| 申请号： | 201710642100.8 | 申请日： | 2017-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN107359194B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 章文通;詹珍雅;李珂;余洋;梁龙飞;乔明;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除高电场的器件，其元胞结构包括衬底、源极接触电极、漏极接触电极、栅电极、栅氧化层、第二类型漂移区、第二类型条、第一类型条、第二类型buffer区、第一类型阱区、第二类型重掺杂区、第一类型重掺杂区、第三类型重掺杂区；本发明将第二类型条的左端延伸至第一类型阱区内部且不与第二类型重掺杂区相连接，第一类型条的右端延伸至第二类型buffer区内部，使得左端第二类型条同时被多面的第一类型杂质耗尽，右端第一类型条同时被多面的第二类型杂质耗尽，使得超结边缘的电场尖峰被削弱，避免器件提前击穿，进一步提高超结器件的击穿电压，第二类型条左侧延伸至第一类型阱区内部，减小了开态时器件的沟道电阻，从而降低器件的比导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 电场 器件 | ||
【主权项】：
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