[发明专利]一种消除高电场的器件

权利要求书

1.一种消除高电场的器件，其特征在于：其元胞结构包括衬底(1)、源极接触电极(5)、漏极接触电极(6)、栅电极(7)、栅氧化层(8)、第二类型漂移区(9)、第二类型条(12)、第一类型条(14)、第二类型buffer区(22)、第一类型阱区(24)、第二类型重掺杂区(32)、第一类型重掺杂区(34)、第三类型重掺杂区(42)；所述三个类型重掺杂区两两相互独立，分别为N型或P型；所述第二类型漂移区(9)设置在衬底(1)的上表面；所述第一类型阱区(24)嵌入设置在第二类型漂移区(9)的左侧，其上表面与第二类型漂移区(9)的上表面相连接；所述第二类型buffer区(22)嵌入设置在第二类型N型漂移区(9)的右侧，其上表面与第二类型漂移区(9)的上表面相连接；所述第一类型阱区(24)内部设置有相互独立的第一类型重掺杂区(34)与第二类型重掺杂区(32)；所述第二类型buffer区(22)内部设置有第三类型重掺杂区(42)，第二类型buffer区(22)的上表面与第二类型漂移区(9)的上表面相连接；所述第二类型条(12)与第一类型条(14)沿y方向即垂直于硅平面向下的方向垂直设置在第二类型漂移区(9)中，第二类型条(12)的左侧延伸至第一类型阱区(24)内部且不与第二类型重掺杂区(32)相连接，第一类型条(14)的右侧延伸至第二类型buffer区(22)的内部；所述源极接触电极(5)设置在第一类型重掺杂区(34)与第二类型重掺杂区(32)的上方，源极接触电极(5)右端部分覆盖第二类型重掺杂区(32)；所述栅氧化层(8)设置在第一类型阱区(24)的上方，栅氧化层(8)左端部分覆盖第二类型重掺杂区(32)，且不与源极接触电极(5)相连接；所述栅电极(7)设置在栅氧化层(8)的上方，所述漏极接触电极(6)设置在第三类型重掺杂区(42)的上方。

2.根据权利要求1所述的一种消除高电场的器件，其特征在于：在第一类型阱区(24)下方，衬底(1)与第二类型漂移区(9)交界处的左端引入第一类型埋层(3)，第一类型埋层(3)上表面部分嵌入第一类型阱区(24)，下表面部分嵌入衬底(1)；或者在第二类型buffer区(22)与第一类型阱区(24)之间，衬底(1)与第二类型漂移区(9)之间引入第二类型bury层(4)，第二类型bury层(4)上表面部分嵌入第二类型漂移区(9)，下表面部分嵌入衬底(1)。

3.根据权利要求1所述的一种消除高电场的器件，其特征在于：所述设置在第二类型漂移区(9)中的第二类型条(12)与第一类型条(14)，设置在第二类型漂移区(9)体内，第二类型条(12)上表面不与第二类型漂移区(9)的上表面相连接，第一类型条(14)下表面不与第二类型漂移区(9)的下表面相连接。

4.根据权利要求1所述的一种消除高电场的器件，其特征在于：所述的第二类型条(12)与第一类型条(14)，沿y方向即垂直于硅平面向下的方向交替重复设置在第二类型漂移区(9)中，形成第二类型-第一类型-第二类型-第一类型-……结构。

5.根据权利要求1所述的一种消除高电场的器件，其特征在于：所述的第二类型条(12)与第一类型条(14)，两者左侧延伸至第一类型阱区(24)内部且不与第二类型重掺杂区(32)相连接，右侧延伸至第二类型buffer区(22)的内部，且第一类型条(14)在z方向即器件宽度方向上形成断续结构。

6.根据权利要求1所述的一种消除高电场的器件，其特征在于：所述设置在第二类型漂移区(9)中的第二类型条(12)与第一类型条(14)在y方向的宽度不相等。

7.根据权利要求1所述的一种消除高电场的器件，其特征在于：所述设置在第二类型漂移区(9)中的第二类型条(12)与第一类型条(14)的垂直位置相交换，且第一类型条(14)的左端不与第一类型阱区(24)的右界面相连接。