[发明专利]一种光侦测薄膜、器件、显示装置、制备方法

摘要

本发明提供了一种光侦测薄膜、器件、显示装置、制备方法，相较于一般采用TFT漏电流作光敏薄膜晶体管之器件，本发明以倒立共平面型场效晶体管结构将光吸收半导体层配置于最上方，大幅增加了光电子的激发。配置于底层的源极与漏极，在每一个侦测像素里，所属同一像素的多个源极都相互并联，且所属同一像素的多个漏极也都相互并联，进而降低了光激发之电子与空穴再复合机率，增加了场效应作用下电极收集光电子的成功机率，最大化地改善了TFT漏电流光敏薄膜晶体管的光敏感度。本发明无需掺杂含硼气体即可实现，有效减少了光侦测薄膜生产过程中对环境的污染，降低了生产成本。

主权项

1.一种光侦测薄膜，其特征在于，所述光侦测薄膜包括光敏薄膜晶体管，所述光敏薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、绝缘层、光吸收半导体层；所述光敏薄膜晶体管为倒立共平面式结构，所述倒立共平面式结构包括：所述栅极、绝缘层、源极纵向自下而上设置，所述漏极与所述源极横向共面设置；绝缘层包裹所述栅极，以使得栅极与源极、栅极与漏极之间均不接触；源极和漏极之间间隙配合，源极和漏极横向之间形成光敏漏电流通道，所述光吸收半导体层设置于光敏漏电流通道内。