[发明专利]一种用于ALD工艺的气体传输装置及其进气方法有效
申请号: | 201710638370.1 | 申请日: | 2017-07-31 |
公开(公告)号: | CN109321895B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 纪红;李春雷;赵磊超;秦海丰 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 周永强 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于ALD工艺的气体传输装置,在传输前驱体A的过程中,携带气体通过所述携带流量计A和三通脉冲阀A进入储存器A,并携带前驱体A经过供应管路A进入ALD反应腔室,携带气体通过所述携带流量计B、三通脉冲阀B、旁路B和供应管路B进入ALD反应腔室,在传输前驱体B的过程中,携带气体通过所述携带流量计B和三通脉冲阀B进入储存器B,并携带前驱体B经过供应管路B进入ALD反应腔室,携带气体通过所述携带流量计A、三通脉冲阀A、旁路A和供应管路A进入ALD反应腔室。本发明公开的一种用于ALD工艺的气体传输装置及其进气方法,具有前驱体利用率高、充分扩散、腔室气体总流量波动小,气流平稳的优良特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 ald 工艺 气体 传输 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于ALD工艺的气体传输装置,包括主进气单元和副进气单元,所述主进气单元用于传输前驱体A,副进气单元用于传输前驱体B,其特征在于,所述主进气单元包括携带气体源A、储存器A以及和储存器A并联的旁路A,所述副进气单元包括携带气体源B、储存器B以及和储存器B并联的旁路B;在传输前驱体A的过程中,携带气体源A中的携带气体A进入储存器A,并携带前驱体A进入ALD反应腔室,同时,携带气体源B中的携带气体B通过旁路B进入ALD反应腔室;在传输前驱体B的过程中,携带气体B进入储存器B,并携带前驱体B进入ALD反应腔室,同时,携带气体A通过旁路A进入ALD反应腔室。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的