[发明专利]芯片顶层防护层中随机哈密顿回路拓扑结构的合并方法

摘要

本发明涉及芯片顶层金属防护层生成技术，为使得两个或多个已经生成的随机哈密顿回路可以合并为一个大的回路，从而使得大面积随机哈密顿回路的生成更加简单。为此，本发明，芯片顶层防护层中随机哈密顿回路拓扑结构的合并方法，步骤如下：1)确定合并类型；2)进行方向合并；3)将矩形单元回路阵列、回路a和回路b作为待生成随机哈密顿回路的单元矩阵；4)生成一列回路扩展所需的方块单元回路；5)新生成的回路将作为新的回路c；6)重复步骤4与步骤5，直到a与b间的合并空隙完全被填满；7)求解结束。本发明主要应用于芯片顶层金属防护层生成场合。

主权项

一种芯片顶层防护层中随机哈密顿回路拓扑结构的合并方法，其特征是，步骤如下：1)确定合并类型，若进行宽度方向即横向合并，则基于循环合并算法，生成两个具有相同高度H的随机哈密顿回路a和回路b；或者在已生成的随机哈密顿回路中选择具有相同高度H的两个回路a和b；若进行高度方向即纵向的合并，则需生成或选择两个具有相同宽度W的回路a和b；2)若进行宽度方向合并，则将回路b放置在回路a右侧，并在a与b间的空隙最下方生成矩形单元回路阵列；若进行高度方向合并，则将回路b放置在回路a上方，并在a与b间的空隙最左方生成矩形单元回路阵列；3)将矩形单元回路阵列、回路a和回路b作为待生成随机哈密顿回路的单元矩阵，利用循环合并算法，获得单元矩阵的一条随机哈密顿回路c，即将a和b进行了小面积的连接，获得了回路c；4)若宽度方向合并，则在已生成的连接部分上方，生成一行回路扩展所需的方块单元回路；若高度方向合并，则在已生成的连接部分右方，生成一列回路扩展所需的方块单元回路；5)将回路c连同扩展方块单元回路，作为待生成随机哈密顿回路的单元矩阵，采用循环合并算法，找到该单元矩阵的随机哈密顿回路，新生成的回路将作为新的回路c；6)重复步骤4与步骤5，直到a与b间的合并空隙完全被填满；7)求解结束。