[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板有效
申请号: | 201710631958.4 | 申请日: | 2017-07-28 |
公开(公告)号: | CN107393831B | 公开(公告)日: | 2020-04-10 |
发明(设计)人: | 林永祥 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。薄膜晶体管的制造方法包括:在形成半导体层后,在半导体层的一侧形成第一绝缘层、第二绝缘层和位于第一绝缘层和第二绝缘层之间的栅极层,再在第二绝缘层远离基板的一侧形成第一金属层,并在垂直与基板的方向行形成贯穿第一绝缘层、第二绝缘层和第一金属层的第一过孔和第二过孔,第一过孔和第二过孔在基板上的正投影位于栅极层的两侧,在本发明实施例中,由于在垂直于基板的方向上,栅极层被部分第一金属层覆盖,因此该部分第一金属层能够阻止清洗液和第二绝缘层接触,使得第二绝缘层上不会形成孔洞,进而避免第一金属层和第二金属层与栅极层短接的现象,从而提高了薄膜晶体管的良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:提供一基板;在所述基板上形成半导体层;在所述半导体层远离所述基板的一侧形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层远离所述基板的一侧形成栅极层;在所述栅极层远离所述基板的一侧形成第二绝缘层;在所述第二绝缘层远离所述基板的一侧形成第一金属层;在垂直于所述基板的方向上形成贯穿所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第一金属层的第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔在所述基板上的正投影分别位于所述栅极层的两侧;在所述第一金属层远离所述基板的一侧形成第二金属层,其中,所述第二金属层分别通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述半导体层连接,以及所述第一金属层通过所述第二金属层与所述半导体层连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造