[发明专利]制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法有效
| 申请号： | 201710627401.3 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107335937B | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 唐建超;邓伟;唐文骏;王进 | 申请（专利权）人： | 成都盘涅科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K31/02 | 分类号： | B23K31/02;C23C24/10;B23K101/36 |
| 代理公司： | 成都中玺知识产权代理有限公司 51233 | 代理人： | 谭昌驰;邢伟 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法以及提高铝合金电子器件封装气密性的方法。所述制造方法包括：将电子元件置于铝合金壳体中，对铝合金壳体的缝隙进行焊接；对所述焊接形成的焊缝进行清洁处理；设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层，进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于第一温度，以在所述焊缝上形成致密结合层，其中，所述第一温度为所述电子元件的温度耐受上限值。本发明能够显著提高铝合金电子器件封装的气密性和成品率，且无需外加保护气体，成本低、操作简便。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 焊缝 电子器件封装 封装气密性 铝合金壳体 电子器件 气密性 焊接 制造 致密 保护气体 激光熔覆 清洁处理 熔覆粉末 成品率 结合层 耐受 熔覆 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：将电子元件置于铝合金壳体中，对铝合金壳体的缝隙进行焊接；对所述焊接形成的焊缝进行清洁处理；设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层，进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于第一温度，以在所述焊缝上形成致密结合层，其中，所述第一温度为所述电子元件的温度耐受上限值，其中，所述具有优良封装气密性是指：形成的致密结合层均不含有贯穿孔和裂纹，致密结合层表面上的封闭气孔的尺寸均小于220μm，且在每10mm2表面上含有直径大于100μm且小于220μm的封闭气孔的数量不超过6个。
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