[发明专利]先进退火工艺中减少颗粒的设备和方法有效

专利信息
申请号: 201710619013.0 申请日: 2013-03-22
公开(公告)号: CN107579022B 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 阿米科姆·萨德 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/268
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施方式大体涉及使用薄膜除去孔构件的污染物的热处理半导体基板的设备和方法。孔构件设置在能量源和待处理的基板之间。薄膜可为对选定形式的能量(诸如来自在一段所需时间内在一个或更多个适当波长下发出辐射的激光的电磁能脉冲)实质上透明的薄的膜。在一个实施方式中,薄膜安装在离孔构件预定距离处并覆盖在孔构件上形成的图案开口(即孔),使得可能落在孔构件上的任何颗粒污染物将会落在薄膜上。薄膜保持颗粒污染物在最终能量场的焦点外,从而防止颗粒污染物在处理的基板上成像。
搜索关键词: 先进 退火 工艺 减少 颗粒 设备 方法
【主权项】:
一种处理基板的系统,所述系统包括:电磁能量源;孔构件,所述孔构件设置在所述电磁能量源下方,所述孔构件具有设置在离所述孔构件的第一侧预定距离处的第一透明片,其中所述孔构件具有形成于所述第一侧上的图案化的能量阻挡层;设置在所述孔构件下方的成像模块;和设置在所述成像模块下方的基板支撑件。
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