[发明专利]半导体器件及形成方法有效
| 申请号： | 201710616258.8 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109309053B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底上形成有栅极结构，栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区，栅极结构露出的基底上形成有第一介质层；在基底和第一介质层上沉积一金属层，并退火，然后去除金属层；在第一介质层顶部以及栅极结构顶部上形成第二介质层；形成贯穿第一介质层和第二介质层的第一通孔，第一通孔底部露出源漏掺杂区；形成贯穿第二介质层的第二通孔，第二通孔底部露出栅极结构顶部；在第一通孔中形成与源漏掺杂区电连接的第一接触孔插塞；在第二通孔中形成与栅极结构电连接的第二接触孔插塞。根据本发明形成的半导体结构的电学性能得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有栅极结构，所述栅极结构两侧的基底中形成有源漏掺杂区，所述栅极结构旁形成有第一介质层；在所述栅极结构和所述第一介质层上沉积一金属层，并退火，然后去除所述金属层；在所述第一介质层顶部以及所述栅极结构顶部上形成第二介质层；形成贯穿所述第一介质层和第二介质层的第一通孔，所述第一通孔底部露出所述源漏掺杂区；形成贯穿所述第二介质层的第二通孔，所述第二通孔底部露出所述栅极结构顶部；在所述第一通孔中形成与所述源漏掺杂区电连接的第一接触孔插塞；在所述第二通孔中形成与所述栅极结构电连接的第二接触孔插塞。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710616258.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置及其制造方法
- 下一篇：半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
