[发明专利]激光处理装置有效
| 申请号： | 201710614819.0 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN107658217B | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 沈亨基;金锺明;严泰骏;朴宰显 | 申请（专利权）人： | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种激光处理装置，其包含：腔室，在腔室中形成用于实现衬底处理的空间；窗口模块，其安装在腔室的一侧上以便将多个窗口选择性地定位在激光束辐照路径上；台模块，其安装在腔室内部以便将多个台选择性地定位在激光束辐照路径上；激光模块，其定位在腔室外部；以及光学件模块，其连接到激光模块且朝向腔室中的所述一侧延伸，其中可在一个腔室内部使用同一激光模块及光学件模块而稳定地执行用于处理衬底的彼此不同的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种激光处理装置，其特征在于包括：腔室，其中形成用于实现衬底处理的空间；窗口模块，其安装在所述腔室的一侧上以便将多个窗口选择性地定位在激光束辐照路径上；以及台模块，其安装在所述腔室内部以便将多个台选择性地定位在所述激光束辐照路径上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
