[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括在衬底上形成第一绝缘夹层；图案化第一绝缘夹层以形成多个第一开口；在被图案化的第一绝缘夹层中的第一开口内形成牺牲图案；图案化牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层以在牺牲图案和被图案化的第一绝缘夹层中形成多个第二开口；形成多个金属线，金属线在各自的第二开口中；去除牺牲图案的剩余部分中的至少一些以在金属线中的至少一些之间形成空隙；以及在金属线的顶表面、被图案化的第一绝缘夹层的顶表面、以及金属线的和被图案化的第一绝缘夹层的暴露的侧表面上共形地形成衬垫层。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上顺序形成第一绝缘夹层和蚀刻停止层；在所述蚀刻停止层上形成包括槽的第二绝缘夹层；在所述槽中形成牺牲层；在所述第二绝缘夹层和所述牺牲层上形成掩模层；在所述掩模层上形成硬掩模层；在所述硬掩模层中形成第一凹陷图案和第二凹陷图案；形成穿透所述第二凹陷图案下面的所述硬掩模层和所述掩模层的孔图案；使用包括所述第一凹陷图案和所述第二凹陷图案以及所述孔图案的所述硬掩模层以及包括所述孔图案的所述掩模层作为蚀刻掩模蚀刻所述第一绝缘夹层、所述第二绝缘夹层和部分所述牺牲层，以形成暴露所述蚀刻停止层的第一沟槽和第二沟槽以及穿透所述第二沟槽下面的所述蚀刻停止层和所述第一绝缘夹层的通路孔；形成所述第一沟槽中的第一金属线、所述第二沟槽中的第二金属线、以及所述通路孔中的导电通路；蚀刻所述牺牲层的剩余部分以形成暴露所述第一金属线的至少一个侧壁、所述第二金属线的至少一个侧壁和所述蚀刻停止层的顶表面的空气间隙沟槽；形成覆盖所述空气间隙沟槽的内表面的衬垫层；以及在所述衬垫层上形成第三绝缘夹层以密封所述空气间隙沟槽的上部。