[发明专利]一种CMP仿真模型的建立方法及系统有效
| 申请号： | 201710606884.9 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109299485B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | 徐勤志;陈岚;郭叶 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G16C10/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMP仿真模型的建立方法，包括：根据研磨液中化学组分的化学反应以及研磨颗粒的机械去除机理，建立化学动力去除模型，所述化学动力去除模型的去除速率至少与化学组分的浓度以及机械研磨速率相关；根据晶圆表面和研磨颗粒的受力分析以及研磨垫的形变分析，建立晶圆与研磨颗粒及研磨垫的接触力学模型；建立研磨液化学组分在晶圆表面不同区域的浓度分布模型；根据所述接触力学模型和所述浓度分布模型，通过所述化学动力去除模型建立多物理去除模型。该模型可以深刻阐释晶圆表面材质的多物理去除机制，进而实现晶圆表面形貌以及工艺偏差的动态模拟，为CMP工艺中参数设置以及设计优化提供指导。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 仿真 模型 建立 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种CMP仿真模型的建立方法，其特征在于，包括：根据研磨液中化学组分的化学反应以及研磨颗粒的机械去除机理，建立化学动力去除模型，所述化学动力去除模型的去除速率至少与化学组分的浓度以及机械研磨速率相关；根据晶圆表面和研磨颗粒的受力分析以及研磨垫的形变分析，建立晶圆与研磨颗粒及研磨垫的接触力学模型；建立研磨液化学组分在晶圆表面不同区域的浓度分布模型；根据所述接触力学模型和所述浓度分布模型，通过所述化学动力去除模型建立多物理去除模型。
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