[发明专利]热处理装置

摘要

一种热处理装置，即使在吸收红外光的处理气体的环境中，也能够准确地测量基板温度。在对半导体晶片进行热处理的室内形成氨气环境，该氨气吸收与辐射温度计(120)的测量波长区域重叠的波长区域的红外光。通过在辐射温度计(120)的光学透镜系统(21)和检测器(23)之间设置滤光片(22)来排除氨气吸收红外光带来的影响，该滤光片(22)有选择地使不与氨气吸收的波长区域重叠的波长的红外光透过。此外，从表示向辐射温度计(120)入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的多个变换表(26)中，选择与设置的滤光片(22)对应的变换表(26)供辐射温度计(120)使用。由此，不管是否处于氨气环境，都能准确地测量半导体晶片(W)的温度。

主权项

一种热处理装置，其特征在于，通过向基板照射光来加热该基板，包括：室，容纳基板；光照射部，向容纳于上述室的上述基板照射光；气体供给部，向上述室供给规定的处理气体而在上述基板的周边形成该处理气体环境；辐射温度计，接收从上述基板辐射的红外光来测量上述基板的温度；存储部，保存多个表示向上述辐射温度计入射的红外光的能量和黑体的温度之间的相关关系的变换表；以及控制部，根据利用上述气体供给部形成于上述室内的处理气体环境，从多个上述变换表中选择上述辐射温度计所使用的变换表。