[发明专利]一种基于铜纳米线/双层聚合物的OLED透明阳极及制备方法在审
| 申请号： | 201710599738.8 | 申请日： | 2017-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN109285960A | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王亚雄;刘萍;王红航 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 528402*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于铜纳米线/双层聚合物的有机发光二极管(Organic Light‑Emitting Diode,OLED)透明阳极及制备方法，其特征在于，所述基于铜纳米线/双层聚合物的OLED透明阳极包括铜纳米线导电网格、聚偏氟乙烯薄膜、聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜薄膜。本发明通过采用铜纳米线导电网格为主要导电层，可以降低传统光电器件的透明导电层薄膜的成本；通过在铜纳米线导电网格上制备聚偏氟乙烯薄膜，可以降低铜纳米线导电网格的粗糙度；通过在聚偏氟乙烯薄膜上制备聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜；可以提高复合膜的空穴注入能力；通过使用氮气等离子清洗来代替传统的使用氧气等离子或紫外臭氧来对阳极进行清洗，可有效防止清洗过程中铜纳米线被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 铜纳米线 导电网格 制备 聚偏氟乙烯薄膜 双层聚合物 透明阳极 亚乙二氧基噻吩 苯乙烯磺酸 清洗 透明导电层薄膜 有机发光二极管 空穴注入能力 氮气等离子 氧气等离子 阳极 薄膜薄膜 光电器件 清洗过程 紫外臭氧 传统的 粗糙度 导电层 复合膜 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种基于铜纳米线/双层聚合物的OLED透明阳极,其特征在于，由下至上依次为铜纳米线导电网格、聚偏氟乙烯薄膜、聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)‑聚(苯乙烯磺酸)薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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