[发明专利]帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 201710596614.4 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107481939B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 吕元杰;宋旭波;冯志红;王元刚;谭鑫;周幸叶 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/44;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。该方法包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层；分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层部分和所述漏区对应的氧化镓沟道层部分掺杂N型杂质；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层的上表面和所述漏区对应的氧化镓沟道层的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；在栅区对应的氧化镓帽层的上表面覆盖第二金属层形成栅极。本发明能够提高MOSFET的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 氧化 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种帽层结构氧化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：去除氧化镓外延片无源区域的氧化镓沟道层和氧化镓帽层；所述氧化镓外延片从下至上依次为衬底层、氧化镓缓冲层、氧化镓沟道层和氧化镓帽层；所述氧化镓帽层为绝缘层；分别去除所述氧化镓外延片的源区对应的氧化镓帽层和漏区对应的氧化镓帽层；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层部分和所述漏区对应的氧化镓沟道层部分掺杂N型杂质；分别在所述源区对应的氧化镓沟道层的上表面和所述漏区对应的氧化镓沟道层的上表面覆盖第一金属层，分别形成源极和漏极；在栅区对应的氧化镓帽层的上表面覆盖第二金属层形成栅极；所述源区和所述漏区分别位于所述栅区的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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