[发明专利]一种SOI CMOS射频开关以及射频收发前端、移动终端有效

专利信息
申请号: 201710587647.2 申请日: 2017-07-18
公开(公告)号: CN109274358B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 赵鹏;王秀;刘刚;曾真;王肖莹;贾斌 申请(专利权)人: 锐迪科微电子科技(上海)有限公司
主分类号: H03K17/041 分类号: H03K17/041;H03K17/687
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 殷晓雪
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种SOI CMOS射频开关,包括一个固定连接端和多个选择性连接端。每个选择性连接端与固定连接端之间构成一条通道。每条通道的主路径为三个以上级联的开关管。每条通道的两端开关管的源极和漏极之间均连接电容,每条通道的中间开关管的源极和漏极之间均连接电阻,每条通道的所有开关管的栅极连接同一个控制电压。每条通道所连接的控制电压还通过一个正向的反相器与电阻的串联支路连接到该条通道的主路径除两端以外的任意位置。在任意时刻,仅有一个控制电压为正电压,正电压所连接的通道闭合;其余控制电压均为零电压,零电压所连接的通道均断开。本申请SOI CMOS射频开关具有整体电路结构简化、成本降低、面积小的特点。
搜索关键词: 一种 soi cmos 射频 开关 以及 收发 前端 移动 终端
【主权项】:
1.一种SOI CMOS射频开关,包括一个固定连接端和多个选择性连接端,构成单刀多掷开关;其特征是:每个选择性连接端与固定连接端之间构成一条通道;每条通道的主路径为三个以上级联的开关管,所述开关管均为SOI CMOS晶体管;每条通道的两端开关管的源极和漏极之间均连接电容,每条通道的中间开关管的源极和漏极之间均连接电阻,每条通道的所有开关管的栅极连接同一个控制电压;每条通道所连接的控制电压还通过一个正向的反相器与电阻的串联支路连接到该条通道的主路径除两端以外的任意位置;在任意时刻,仅有一个控制电压为正电压,其余控制电压均为零电压;在任意时刻,为正电压的控制电压所连接的通道闭合,为零电压的控制电压所连接的通道断开。
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