[发明专利]薄膜晶体管及其光电装置

摘要

本公开提供一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包含栅极、半导体层、栅极介电层、第一介电层、源极、以及漏极。栅极设置于基板上。半导体层设置于基板上，且半导体层重叠于栅极。栅极介电层设置于栅极与半导体层间。第一介电层设置于基板上，第一介电层包覆栅极或半导体层的两侧边，第一介电层的介电常数小于栅极介电层的介电常数，且第一介电层的介电常数小于4。源极与漏极设置于基板上，且源极与漏极分隔且分别接触半导体层。本公开提供的薄膜晶体管可以应用于柔性的光电装置中并能维持电性性质，同时，在制程上不会增加掩模数，成本不会大幅增加。

主权项

一种薄膜晶体管，包括：一栅极，设置于一基板上；一半导体层，设置于该基板上，且该半导体层重叠于该栅极；一栅极介电层，设置于该栅极与该半导体层间，其中该栅极介电层于该基板的垂直投影范围与该半导体层于该基板的垂直投影范围实质上相同；一第一介电层，设置于该基板上，其中该第一介电层包覆该栅极或该半导体层的两侧边，该第一介电层的介电常数小于该栅极介电层的介电常数，且该第一介电层的介电常数小于4；以及一源极与一漏极，设置于该基板上，且该源极与该漏极分隔且分别接触该半导体层。