[发明专利]用于注射器至基板的空隙控制的装置及方法有效
申请号: | 201710580400.8 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN107365976B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | J·约德伏斯基;K·格里芬;K·甘加基德加 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 所描述为用于处理半导体晶圆的装置及方法,其中在晶圆表面及气体分配组件之间的空隙保持一致且具有已知的厚度。晶圆放置于基座组件内且该组件使用致动器被举起往气体分配组件。可通过产生晶圆下方及/或上方的流体轴承,以举起该晶圆往气体分配组件。 | ||
搜索关键词: | 用于 注射器 至基板 空隙 控制 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种处理室,包括:气体分配组件,所述气体分配组件具有前表面;及基座组件,所述基座组件位于所述气体分配组件下方,所述基座组件包含在基座的内周边的支持结构,所述基座具有顶部表面、底部表面、内直径区域及外直径区域,所述顶部表面包括至少一个凹部以支持晶圆的边缘,所述支持结构包括具有入口的管道,所述管道穿过所述基座至所述凹部,(所述支持结构还包括)从所述凹部到出口的管道来允许气流穿过所述支持结构、凹部并离开基座。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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