[发明专利]用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法有效
| 申请号： | 201710579782.2 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107265841B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | I·米莉瑟维克;M·J·N·范·斯特劳伦;J·A·哈特苏克 | 申请（专利权）人： | 德拉克通信科技公司 |
| 主分类号： | C03B37/018 | 分类号： | C03B37/018 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法，其中将一个或多个掺杂或未掺杂的玻璃层涂覆到玻璃基管的内部上，该设备包括：施加器，其具有内壁和外壁；以及微波引导件，用于向着施加器开口，该施加器绕柱轴延伸并且配置有与内壁相邻的通道，经由微波引导件所供给的微波可以经由该通道排出，基管可以沿该柱轴配置，而施加器由沿所述柱轴延伸的加热炉完全包围。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 pcvd 沉积 工艺 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于执行PCVD沉积工艺的方法，所述方法包括以下步骤：i)提供玻璃基管；ii)向步骤i)的基管供给一种或多种玻璃形成气体；iii)通过微波辐射在步骤ii)的基管的至少一部分上诱导等离子体，以使一个或多个玻璃层沉积到所述基管的内表面上；其特征在于，在步骤iii)期间，根据所述等离子体沿着所述基管的长度的轴向位置来以一个脉冲的形式向所述基管供给至少一种等离子体反应气体，其中，供给单一脉冲的等离子体反应气体并且选择所述脉冲的长度和位置以落在与沉积振荡相对应的纵向位置内，所述沉积振荡是沉积玻璃沿所述基管的长度的厚度或组成的变化。
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