[发明专利]用于执行PCVD沉积工艺的设备和方法

权利要求书

1.一种用于执行PCVD沉积工艺的方法，所述方法包括以下步骤：

i)提供玻璃基管；

ii)向步骤i)的基管供给一种或多种玻璃形成气体；

iii)通过微波辐射在步骤ii)的基管的至少一部分上诱导等离子体，以使一个或多个玻璃层沉积到所述基管的内表面上；

其特征在于，在步骤iii)期间，根据所述等离子体沿着所述基管的长度的轴向位置来以一个脉冲的形式向所述基管供给至少一种等离子体反应气体，

其中，供给单一脉冲的等离子体反应气体并且选择所述脉冲的长度和位置以落在与沉积振荡相对应的纵向位置内，所述沉积振荡是沉积玻璃沿所述基管的长度的厚度或组成的变化，其中，所述等离子体反应气体是能够在离子体中发生离子化的非玻璃形成前体气体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述脉冲的持续时间为250～1000毫秒。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述脉冲的持续时间为500～750毫秒。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述等离子体反应气体的压力为0.5～5bar。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述等离子体反应气体的压力为1～2bar。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述等离子体反应气体的压力为1.5bar。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述等离子体反应气体选自氩、氦、氧、以及氮这四者中的一个或多个。

8.一种用于执行PCVD沉积工艺的设备，其中通过微波诱导等离子体使一个或多个玻璃层沉积到玻璃基管的内表面上；所述基管具有供给侧和排出侧，所述设备包括微波施加器以及用于引导微波并形成等离子体的微波引导件，所述微波施加器能够沿着所述基管在位于所述基管的供给侧的换向点和位于所述基管的排出侧的换向点之间移动，

所述设备的特征在于：所述设备配置有气体注入装置，所述气体注入装置用于向所述基管的供给侧提供玻璃形成气体和等离子体反应气体，其中，在所述PCVD沉积工艺期间，根据所述微波施加器沿着所述基管的长度的轴向位置来以一个脉冲的形式供给所述等离子体反应气体，

其中，所述气体注入装置供给单一脉冲的等离子体反应气体并且选择所述脉冲的长度和位置以落在与沉积振荡相对应的纵向位置内，所述沉积振荡是沉积玻璃沿所述基管的长度的厚度或组成的变化，其中，所述等离子体反应气体是能够在离子体中发生离子化的非玻璃形成前体气体。

9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述气体注入装置包括阀，以控制所述等离子体反应气体的流动。

10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述阀为快关阀。

11.根据权利要求8至10中任一项所述的设备，其中，所述设备还配置有控制器。

12.根据权利要求11所述的设备，其中，所述控制器为微控制器。