[发明专利]一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法

摘要

本发明公开了半导体领域应用的一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法。所述封装步骤如下A)将硅胶荧光粉薄膜片安装于载具上；B)将LED芯片贴装在硅胶荧光粉薄膜片上；C)将产品进行高温烘烤加固操作；D)利用切割设备按照设定尺寸沿LED芯片的间隙进行切割，形成切割道；E)去除切割道内切下的硅胶荧光粉薄膜片；F)将产品进行等离子清洗；G)将胶状二氧化硅点设在相邻LED芯片之间；H)将产品进行固化操作；I)利用切割设备进行对胶状二氧化硅的切割操作；J)将产品进行分离，得到单颗一面发光的CSP LED产品。该生产步骤简单，容易操作，从而降低了生产要求，实现生产成本的降低，同时提高了生产合格率，为产品质量一致性提供了保障。

主权项

一种基于CSP封装结构的一面发光LED的封装方法，其特征在于，所述封装步骤如下：A)将硅胶荧光粉薄膜片(2)安装于载具(1)上，所述硅胶荧光粉薄膜片(2)包括保护膜(21)，所述保护膜(21)位于硅胶荧光粉薄膜片(2)和载具(1)之间；B)将LED芯片(3)贴装在硅胶荧光粉薄膜片(2)上，所述LED芯片(3)为倒装结构，所述相邻LED芯片(3)存在间隙；C)将产品进行高温烘烤加固操作，所述烘烤温度为110度至130度，烘烤时间为0.5小时至1.5小时；D)利用切割设备(5)按照设定尺寸沿LED芯片(3)的间隙进行切割，所述切割设备(5)切割至保护膜(21)，所述切割设备(5)使相邻LED芯片(3)切割形成切割道(22)；E)去除切割道(22)内切下的硅胶荧光粉薄膜片(2)；F)将产品进行等离子清洗；G)将胶状二氧化硅(4)点设在相邻LED芯片(3)之间，所述点胶高度与LED芯片(3)齐平，所述胶状二氧化硅(4)对切割道(22)进行填充；H)将产品进行固化操作，所述固化操作为二段式高温烘烤，所述二段式高温烘烤包括第一阶段和第二阶段，所述第一阶段的烘烤温度为90度至110度，所述第一阶段的烘烤时间为1.5小时至2.5小时，所述第二阶段的烘烤温度为150度至170度，所述第二阶段的烘烤时间为3.5小时至4.5小时；I)利用切割设备(5)沿LED芯片(3)间隙进行对胶状二氧化硅(4)的切割操作，所述切割设备(5)切割至保护膜(21)；J)将产品进行分离，得到单颗一面发光的CSP LED产品。