[发明专利]织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201710574070.1 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107417276B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 施鹰;范灵聪;谢建军;雷芳;章蕾 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/622;C04B35/645;B28B1/26;B28B11/24;B28B17/02 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人： | 顾勇华 |
| 地址： | 200444*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种织构化铈掺杂硅酸镥闪烁陶瓷及其制备方法，采用强磁场下注浆成型并结合热等静压烧结工艺制备LSO:Ce闪烁陶瓷。本发明利用高分散的LSO:Ce料浆在强磁场下成型制备具有一定晶粒取向度的LSO:Ce素坯，再将素坯在1550‑1750℃的温度下烧结获得相对密度大于95%的陶瓷烧结体，随后再将LSO:Ce陶瓷烧结体进行热等静压后处理获得相对密度高达99.8%的高致密织构化陶瓷，最后经过退火后获得高透明性的LSO:Ce闪烁陶瓷。该LSO:Ce闪烁陶瓷的晶粒取向度可达到28%，在发光波长420nm处的直线透过率可达到6.6%，可用作X射线CT或γ射线PET扫描成像仪中的探测器材料。 | ||
| 搜索关键词： | 织构化铈 掺杂 硅酸 闪烁 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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