[发明专利]具有Q1和Q4控制的双向开关有效
| 申请号： | 201710567591.4 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN107256891B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | S·梅纳尔 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(图尔)公司 |
| 主分类号： | H01L29/747 | 分类号： | H01L29/747 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种参考后表面的控制类型的垂直双向开关，包括在其后表面上的第一主电极(A1)、在其前表面上的第二主电极(A2)以及栅极电极(G)。所述开关能够由栅极电极与第一电极之间的正电压控制。在所述开关中，栅极电极(G)被布置在穿过其中形成开关的芯片的过孔的前表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 q1 q4 控制 双向 开关 | ||
【主权项】：
一种设备，包括：第一导电性类型并且具有前表面和后表面的半导体衬底，在所述半导体衬底中并且在所述前表面和所述后表面之间的多个PC结，所述多个PN结限定反向并联耦合的第一可控硅和第二可控硅；控制电极，所述控制电极在所述半导体衬底的所述前表面上；第一电极，所述第一电极在所述半导体衬底的所述后表面上；第二电极，所述第二电极在所述半导体衬底的所述前表面上；半导体柱体，所述半导体柱体直接耦合至所述控制电极并且在所述控制电极和所述第一电极之间延伸，并且耦合至所述多个PN结中的至少一个PN结，所述半导体柱体具有贯穿的相同的导电类型；所述控制电极被配置成控制在所述第一电极和所述第二电极之间的电流；以及半导体壁，所述半导体壁在所述半导体衬底中并且围绕所述半导体柱体，所述半导体壁是与所述第一导电类型不同的第二导电类型。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(图尔)公司，未经意法半导体(图尔)公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710567591.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
