[发明专利]一种高密封度的气相腐蚀腔体有效
| 申请号： | 201710564802.9 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107393848B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 许开东 | 申请（专利权）人： | 江苏鲁汶仪器有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11511 北京得信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 袁伟东;崔建丽 |
| 地址： | 221300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高密封度的气相腐蚀腔体，包括：上部腔体、下部腔体和升降控制装置，所述升降控制装置与所述上部腔体相连接，控制所述上部腔体的上下移动，所述下部腔体固定，在所述下部腔体设置有进气口、出气口和加热板，其中，在所述上部腔体与所述下部腔体之间设置有第一密封机构，在所述加热板与所述下部腔体之间设置有第二密封机构，在所述出气口设置有第三密封机构。本发明的高密封度的气相腐蚀腔体通过设置第一密封机构、第二密封机构、和第三密封机构，能够确保腐蚀性、有毒气体不会泄漏到环境和腔体其他非耐腐蚀区域，即保证了操作人员的人身安全，又延长了含该气相腐蚀腔体的设备使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密封 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种高密封度的气相腐蚀腔体，包括：上部腔体、下部腔体和升降控制装置，所述升降控制装置与所述上部腔体相连接，控制所述上部腔体的上下移动，所述下部腔体固定，在所述下部腔体设置有进气口、出气口和加热板，其特征在于，/n在所述上部腔体与所述下部腔体之间设置有第一密封机构，在所述加热板与所述下部腔体之间设置有第二密封机构，在所述出气口设置有第三密封机构，/n所述上部腔体为圆形的盖状，在所述上部腔体的周缘，整圈形成有与腔体所在的平面相垂直的上盖凸缘，所述上部腔体比所述上盖凸缘更靠外侧的下表面被加工形成为光滑的第一密封面，/n所述下部腔体为圆形的皿状，所述下部腔体的周缘的上表面被加工形成为光滑的第二密封面，在所述第一密封面或所述第二密封面中形成有密封槽，/n所述下部腔体的周缘的内壁被加工形成为光滑的第三密封面，所述上部腔体的所述凸缘的外壁被加工形成为光滑的第四密封面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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