[发明专利]衬底处理系统和处理在衬底处理系统中的衬底的方法有效
申请号: | 201710564129.9 | 申请日: | 2017-07-12 |
公开(公告)号: | CN107768275B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 张依婷;斯拉瓦纳普利安·斯利拉曼;亚历克斯·帕特森 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687;H01J37/32;H01J37/20 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 樊英如;张静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及利用可移动边缘环和气体注入调整控制晶片上CD均匀性。一种衬底处理系统中的衬底支撑件包括内部部分和外部部分。内部部分定位于气体分配装置下方,所述气体分配装置被构造成将第一处理气体引向所述内部部分。所述外部部分包括边缘环,所述边缘环围绕所述内部部分的外周边定位以至少部分地环绕所述内部部分和布置在所述内部部分上的衬底。所述边缘环被配置为相对于所述内部部分升高和降低,并且将第二处理气体朝所述内部部分引导。控制器确定在处理过程中沉积在所述衬底上的材料的分配,并且基于所确定的所述分配,选择性地调整边缘环的位置,以及选择性地调整所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的流动。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 系统 中的 方法 | ||
【主权项】:
一种衬底处理系统中的衬底支撑件,所述衬底支撑件包括:位于气体分配装置下方的内部部分,所述气体分配装置被构造成将第一处理气体引向所述内部部分;包括边缘环的外部部分,其中所述边缘环围绕所述内部部分的外周边定位以至少部分地环绕所述内部部分和布置在所述内部部分上的衬底,其中所述边缘环被配置为相对于所述内部部分升高和降低,并且其中所述边缘环被构造成将第二处理气体朝所述内部部分引导;和控制器,其确定在处理过程中沉积在所述衬底上的材料的分配,并且基于所确定的所述分配,(i)选择性地调整所述边缘环的位置,以及(ii)选择性地调整所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的流动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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