[发明专利]面向物联网的硅基具有热电转换功能的BJT器件有效
| 申请号： | 201710556392.3 | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107293582B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 廖小平;陈友国 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211103 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种面向物联网的硅基具有热电转换功能的BJT器件，所述三个BJT电极即基极、发射极、集电极周围的二氧化硅层表面均排布有热电偶；所述热电偶包括金属Al型热电臂、多晶硅N型热电臂和连接线金属铝，所述金属Al型热电臂分别绕三个BJT电极分布，所述多晶硅N型热电臂分别绕三个BJT电极分布，同一个BJT电极周围的金属Al型热电臂和多晶硅N型热电臂交替设置，且同一个BJT电极周围的金属Al型热电臂和多晶硅N型热电臂通过连接线金属铝串联起来，同时同一个BJT电极留出两个热电偶电极；三个BJT电极之间留出的热电偶电极通过连接线金属铝串联起来，且留下两个留出的热电偶电极作为塞贝克电压的输出极。 | ||
| 搜索关键词： | 面向 联网 具有 热电 转换 功能 bjt 器件 | ||
【主权项】：
一种面向物联网的硅基具有热电转换功能的BJT器件，其特征在于：包括衬底(1)、N+隐埋层(2)、P+型隔离区(4)、BJT基区(6)、BJT发射区(7)、三个BJT电极、BJT集电区(3)、二氧化硅层(5)，所述三个BJT电极分别为基极(12)、发射极(13)、集电极(14)；其中：所述二氧化硅层(5)、BJT集电区(3)、衬底(1)由上到下依次设置，而所述P+型隔离区(4)设置于所述BJT集电区(3)的外侧，且所述P+型隔离区(4)的底部与所述衬底(1)相连接，所述P+型隔离区(4)的顶部与所述二氧化硅层(5)相连接；所述N+隐埋层(2)设置于所述衬底(1)和BJT集电区(3)的交接处，且所述N+隐埋层(2)底部与衬底(1)连接，而顶部与BJT集电区(3)连接；所述BJT基区(6)设置于BJT集电区(3)内，且所述BJT基区(6)位于BJT集电区(3)上相邻二氧化硅层(5)的一面，而所述BJT发射区(7)设置于BJT基区(6)内，且所述BJT发射区(7)位于BJT基区(6)上相邻二氧化硅层(5)的一面；所述发射极(13)穿过二氧化硅层(5)与所述BJT发射区(7)相连接；所述BJT集电区(3)上设置有BJT集电区重掺杂区(15)，且所述BJT集电区重掺杂区(15)位于BJT集电区(3)上相邻二氧化硅层(5)的一面，所述集电极(11)穿过所述二氧化硅层(5)与BJT集电区重掺杂区(15)相连接；所述基极(12)穿过二氧化硅层(5)与BJT集电区(3)相连接；所述三个BJT电极周围的二氧化硅层(5)表面均排布有热电偶组。
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