[发明专利]输入输出器件和集成电路及制造方法

摘要

本发明提供一种输入输出器件和集成电路及制造方法，所述输入输出器件的多层功函数层在输入输出区的栅极开口底部横向上的覆盖情况不一致，即形成了在输入输出区的金属栅电极层底部横向上不均匀分布的多层功函数层，可以减小输入输出器件的源漏区靠近其金属栅极叠层结构的界面处的电场，大大改善了输入输出器件的GIDL效应，进而有效减少输入输出器件的漏电流，提高了输入输出器件及整个集成电路的可靠性。

主权项

1.一种输入输出器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供具有输入输出区的半导体衬底，在所述输入输出区的半导体衬底表面上形成具有栅极开口的层间介质层；在所述栅极开口中填充金属栅极叠层结构，所述金属栅极叠层结构包括依次堆叠的多层功函数层以及金属栅电极层，所述多层功函数层中至少有一层功函数层对所述栅极开口的底部进行部分覆盖，至少有另一层功函数层对所述栅极开口的底部完全覆盖；以及，在所述栅极开口两侧的半导体衬底中形成源漏区。