[发明专利]基于分子印迹聚合物包覆的半导体用于可光催化再生地选择性SERS检测在审

专利信息
申请号: 201710547565.5 申请日: 2017-07-06
公开(公告)号: CN107402202A 公开(公告)日: 2017-11-28
发明(设计)人: 王灵芝;徐银;张金龙;卢德力 申请(专利权)人: 华东理工大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65;C08F220/06;C08F222/38
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 200237 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种具有核壳结构的半导体表面增强拉曼散射光谱(SERS)基底的制备及其应用。该SERS基底采用分子印迹技术,在硅烷基化的半导体表面包覆一层含有目标分子的聚合物。然后利用半导体的光催化性能,在光照下将目标分子降解除去,获得半导体‑分子印迹聚合物复合物(SC‑MIPs)。由于在半导体表面留有目标分子的印迹位点,因此可以实现在混合溶液中对目标分子的选择性SERS检测,SERS检测的增强因子可以达到1.6 ×104。在SERS检测后,利用半导体的光催化性质,通过光催化作用将捕获的目标分子降解完全,这样SERS基底就可以通过“瞄准‑射击”的方式实现循环再生。因此本发明原料可以用于复杂环境下选择性地进行SERS检测有机污染物。
搜索关键词: 基于 分子 印迹 聚合物 半导体 用于 光催化 再生 选择性 sers 检测
【主权项】:
对于半导体‑分子印迹聚合物复合物(SC‑MIPs),其特征在于所述的材料具有核壳结构,包覆的分子印迹聚合物非常薄,SERS增强活性比较高,可以实现在混合溶液中对目标分子的选择性SERS检测;此外,通过光催化可以将基底表面残留的目标分子降解完全,这样SERS基底就可以通过“瞄准‑射击”的方式实现循环再生。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东理工大学,未经华东理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710547565.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top