[发明专利]一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201710543596.3 | 申请日： | 2017-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN107369720B | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;赵丹;邵国庆;刘璋成;朱天飞;张明辉;王艳丰;王玮;问峰;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 61200 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陆万寿 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管及其制备方法，包括：包含金刚石衬底；金刚石衬底的一面设有金刚石外延层，另一面设有欧姆接触电极；金刚石外延层的表面形成有凸梁与沟道相间的微观结构；凸梁的表面形成有氧终端表面；氧终端表面上设有低势垒肖特基区域金属；金刚石外延层的微观结构中除凸梁表面的区域设有氟终端；低势垒肖特基区域金属和氟终端的表面形成一层高势垒肖特基区域金属。与现有技术相比，通过本发明，能够获得同时具有正向开启电压小、电流密度大、反向漏电流小、击穿电压高的肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 高低 势垒肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p型金刚石高低势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：包含金刚石衬底(1)；/n金刚石衬底(1)的一面设有金刚石外延层(2)，另一面设有欧姆接触电极(5)；/n金刚石外延层(2)的表面形成有凸梁(3)与沟道(4)相间的微观结构；/n凸梁(3)的表面形成有第一终端；第一终端表面上设有低势垒肖特基区域金属(7)；/n金刚石外延层(2)的微观结构中除凸梁(3)表面的区域设有第二终端；/n低势垒肖特基区域金属(7)和第二终端的表面形成一层高势垒肖特基区域金属(9)；/n第一终端为氧终端；第二终端为氟终端。/n
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