[发明专利]一种低衰减单模光纤及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低衰减单模光纤及其制备方法，所述的芯层直径a为7.0～8.0μm，相对折射率差△1为0.10～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层直径b为25～28μm，相对折射率差△2为‑0.05～‑0.25％，所述的外包层直径c为124～126μm，相对折射率差△3为‑0.05～‑0.25％。本发明通过VAD工艺制造芯棒，形成芯层和内包层，以此芯棒作为靶棒，通过OVD工艺在此靶棒外面沉积外包层，形成外包层，经过烧结后形成全包层掺氟的预制棒，将此预制棒在1500～3300m/min的拉丝速度下进行拉丝制得光纤。本发明通过减少芯层掺锗量和改善芯包层粘度匹配实现光纤的低衰减，本发明制备工艺较为简单，制作成本低，且工艺稳定，产出合格率高。

主权项

一种低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层直径a为7.0～8.0μm，相对折射率差△1为0.10～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层和外包层，所述的内包层直径b为25～28μm，相对折射率差△2为‑0.05～‑0.25％，所述的外包层直径c为124～126μm，相对折射率差△3为‑0.05～‑0.25％。